μ PA2755AGR
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
120
100
2.8
2.4
Mounted on ceramic
substrate of
2000 mm 2 × 2.2 mm
80
60
2.0
1.6
1.2
2 units
1 unit
40
20
0.8
0.4
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
100
T A - Ambient Temperature - ° C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
I D( pulse)
PW = 100 μ s
T A - Ambient Temperature - ° C
10
I D( DC)
R DS( on ) Limited
1
0.1
(at V GS = 10 V)
Power Dissipation Limit ed
M ount ed on ceramic subst rate of
2000 mm 2 x 2.2mm, 1 unit
T A = 25°C
1 ms
10 ms
100 m s
DC
Single pulse
0.01
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain to Source Voltage - V
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
1000
Mounted on ceramic substrate of 2000 mm x 2.2 mm
100
10
1
2
R th(ch-A) = 73.5°C/W
Single pulse, 1 unit
T A = 25°C
0.1
100 μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - Pulse Width - s
Data Sheet G19282EJ1V0DS
3
相关PDF资料
UPA2756GR-E2-AT MOSFET N-CH DUAL 60V 8-SOIC
UPA2757GR-E2-AT MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
UPA2790GR-E2-AT MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
UPA2791GR-E2-AT MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
UPA602T-T1-A MOSFET N-CH DUAL 50V SC-59
UPA603T-T2-A MOSFET P-CH DUAL 50V SC-59
UPA606T-T2-A MOSFET N-CH DUAL 50V SC-59
UPA607T-T1-A MOSFET P-CH DUAL 50V SC-59
相关代理商/技术参数
UPA2755GR 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
UPA2755GR-A1-E2-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
UPA2755GR-E1-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
UPA2755GR-E1-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
UPA2756GR 制造商:NEC 制造商全称:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
UPA2756GR-E1 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
UPA2756GR-E1-AT 功能描述:MOSFET N-CH DUAL 60V 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR
UPA2756GR-E2-AT 功能描述:MOSFET N-CH DUAL 60V 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR